အစောဆုံး LED မီးရင်းမြစ်ကို -တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ P-N လမ်းဆုံ၏ အလင်းထုတ်လွှတ်မှုနိယာမကို အသုံးပြု၍ ၁၉၆၀ ခုနှစ်များအစောပိုင်းတွင် တီထွင်ခဲ့သည်။ ထိုအချိန်က အသုံးပြုသည့် ပစ္စည်းမှာ GaAsP ဖြစ်ပြီး အနီရောင်အလင်း (λp=650nm) ထုတ်ပေးသည်။ 20 mA ဖြင့် မောင်းနှင်နေသော လျှပ်စီးကြောင်းဖြင့်၊ တောက်ပသော flux သည် lumen ၏ ထောင်ဂဏန်းမျှသာ ရှိသောကြောင့် တောက်ပသော 0.1 lumen/watt ခန့်ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။
1970 ခုနှစ်များအလယ်ပိုင်းတွင်၊ In နှင့် N ဒြပ်စင်များကို မိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် LEDs များသည် အစိမ်းရောင် (λp=555nm)၊ အဝါရောင် (λp=590nm) နှင့် လိမ္မော်ရောင် (λp=610nm) အလင်းတို့ကို ထုတ်ပေးနိုင်ပြီး တောက်ပသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို 1 lumen/watt အထိ မြှင့်တင်ခဲ့သည်။
1980 ခုနှစ်များအစောပိုင်းတွင် GaAlAs LED အလင်းရင်းမြစ်များ ပေါ်ထွက်လာပြီး အနီရောင် LEDs များကို 10 lumen/watt ၏ တောက်ပသော အလင်းရောင်ရရှိရန် စွမ်းဆောင်နိုင်ခဲ့သည်။
၁၉၉၀ ပြည့်လွန်နှစ်များအစောပိုင်းတွင်၊ ပစ္စည်းအသစ်နှစ်ခု၏ အောင်မြင်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည်-GaAlInP (အနီနှင့် အဝါရောင်ကို ထုတ်လွှတ်သော) နှင့် GaInN (အစိမ်းရောင်နှင့် အပြာရောင်အလင်းတန်း)-LED များ၏ တောက်ပသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးခဲ့သည်။ 2000 ခုနှစ်တွင် ယခင်ထုတ်လုပ်ခဲ့သော LED များသည် အနီရောင်နှင့် လိမ္မော်ရောင်ဒေသ (λp=615nm) တွင် 100 lumens per watt ၏ တောက်ပသော ထိရောက်မှုရှိသော LEDs များကို ထုတ်လုပ်ခဲ့ပြီး နောက်ပိုင်းတွင် LEDs များသည် အစိမ်းရောင်ဒေသ (λp{8}}nm) တွင် 50 lumen per luminous efficiency ဖြင့် ထုတ်လုပ်ခဲ့သည်။
